三菱电机 SiC半导体工厂 在熊本举行奠基仪式
日前,三菱电机在熊本县菊池市举行了新厂房奠基仪式。新厂房将配备面向200毫米(8英寸)晶圆的前端工程设备,旨在扩产碳化硅(SiC)功率半导体,计划2026年开始投产。包括扩建现有的150毫米(6英寸)晶圆工厂在内,总投资额预计约为1000亿日元。该公司还将进行后端工程的新厂房建设等相关投资,从而扩产SiC功率半导体。功率半导体是负责执行电源控制、直流与交流转换、以及提高电源供应和电机旋转精度的器件。
日前,三菱电机在熊本县菊池市举行了新厂房奠基仪式。新厂房将配备面向200毫米(8英寸)晶圆的前端工程设备,旨在扩产碳化硅(SiC)功率半导体,计划2026年开始投产。包括扩建现有的150毫米(6英寸)晶圆工厂在内,总投资额预计约为1000亿日元。该公司还将进行后端工程的新厂房建设等相关投资,从而扩产SiC功率半导体。功率半导体是负责执行电源控制、直流与交流转换、以及提高电源供应和电机旋转精度的器件。