SK海力士　美国新建半导体后工程、研发中心

　　韩国SK海力士于日前公布将在美国印第安纳州新建半导体后工程、研发中心，生产用于人工智能（AI）半导体的新一代高宽带存储器（HBM）。投资金额38.7亿美元。该公司将在研发中心与当地的普渡大学合作推进AI相关项目，计划2028年夏季投入使用，同时在当地构筑生产供应链。新据点将负责研发量产低耗能Chiplet封装，目标借助最尖端的DRAM提升HBM和AI芯片的异构集成性能。