Rapidus　千岁工厂成功试制出2纳米GAA

　　Rapidus于7月18日宣布，已开始在其生产研发基地“IIM-1”（北海道千岁市）试制出2纳米全环绕栅极（GAA）晶体管，并确认了该产品的运作性能。该公司于六月将200多台单片式半导体装置连接至搬运系统，并接通工艺流程完成了试制。Rapidus计划于本财年内向先行客户提供用于半导体设计的工艺设计套件（PDK），开始由客户进行原型制作。当天，该公司还举行了新闻发布会及客户活动，邀请了来自海内外约200名半导体企业及投资人，并向与会者介绍了预计2027年开始量产的尖端技术。同时，Rapidus还在准备后工程中试设备，力争在2027年下半年实现前工程与后工程的整合。