
JX金属 投资1200亿日元扩产磷化铟基板
JX金属于6月16日公布,将投资扩产化合物半导体之一的磷化铟(InP)基板。未来四年内,该公司将在茨城县两处工厂最高投资1200亿日元(约合52亿元人民币),把生产能力提升至2025财年的7-10倍。磷化铟基板作为光通信的接收发射元件材料被使用,近年来在人工智能数据中心内光收发器方面的需求快速增长。
JX金属于6月16日公布,将投资扩产化合物半导体之一的磷化铟(InP)基板。未来四年内,该公司将在茨城县两处工厂最高投资1200亿日元(约合52亿元人民币),把生产能力提升至2025财年的7-10倍。磷化铟基板作为光通信的接收发射元件材料被使用,近年来在人工智能数据中心内光收发器方面的需求快速增长。