三菱化学　半导体用GaN　2026财年末产能增至三倍

　　三菱化学拟大幅提升作为新一代功率半导体材料而备受期待的氮化镓（GaN）产能。该公司正在北海道室兰市安装种晶设备并扩建晶体生长设备，计划在2026财年末把产能提升至现在的三倍左右。此举是瞄准该市场的成形而提前完善供应体制。另一方面，现有面向激光应用的产品也表现良好，因此三菱化学还欲在茨城县的工厂实施设备投资，将产能翻番。该公司计划先以激光用途产品为轴心提升收益，力争至2030年打造出规模达100亿日元（约合4500万元人民币）的业务体。