大日本印刷　两年内实现2纳米工艺用半导体光掩模

　　大日本印刷将在拟在今后两年内构筑起适用于新一代2纳米工艺的半导体光掩模生产体制。半导体行业正在建设2纳米工艺批量生产工厂，该公司将加速研发以追赶这些工厂的投产时期。行业正探讨引入适用于未来1纳米级工艺的高开口度（NA）EUV（极紫外线、波长13. 5纳米）半导体曝光机，因此大日本印刷也将致力于开发与之对应的光掩模。（吉川真吾精密器件事业部第一制造本部副部长表示）“早日开发出尖端光掩模也关系到抗蚀剂等构件材料及装置的开发”。