三菱电机 新建厂房扩产碳化硅功率半导体

  三菱电机日前公布将新建厂房以扩产碳化硅(SiC)功率半导体。该公司把2021-2025财年的累计设备投资金额较原计划上调一倍左右,即上调至2600亿日元。其中,计划投资1000亿日元用于扩产碳化硅晶圆,在熊本县菊池市泗水地区新建200毫米晶圆适用的前工程厂房,并新增150毫米级别设备,新厂房计划2026年4月投产。此外,三菱电机还计划投资100亿日元,在福冈县的功率元器件制作所(福冈市西区)新建后工程厂房,并把组装和检测环节集中至此。

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