三菱化学　研发大型且少缺陷的氮化镓基板

　　三菱化学成功研发了较传统产品更大型且缺陷极少的氮化镓（GaN）单结晶基板，并开始准备功率半导体用途产品的量产。随着电动汽车（EV）和新一代通信规格“5G”的扩大，可以更有效提取电力、极有利于机器和装置小型化的功率半导体用GaN基板的需求有望增加。因此该公司计划于2020财年内在日本国内建设采用独家液相生长法的大型量产设备，朝着业务开展开始进行实证实验。目前三菱化学已完成4英寸产品的研发，并已开始进行6英寸产品的研发，（三木崇利执行董事表示）“为实现2024年成功投放市场的目标，正在加速准备把项目进度提前”。