铠侠　与台湾南亚科技共同开发节能DRAM

　　铠侠近日宣布与台湾南亚科技联合开发出由氧化物半导体组成的新型DRAM（动态随机存储器）。其单元晶体管采用圆柱形铟镓锌氧化物（InGaZnO）垂直晶体管，存储单元为4F2（技术节点的平方）结构，显著小于传统的6F2 DRAM。该产品兼具高导通电流和超低漏电流，实现了高度集成。相较于传统的硅基晶体管，新的“OCTRAM”技术可扩大容量。该技术采用电容器优先生产工艺，将晶体管安装在电容器顶部，结构达到最优化。导通电流15微安/单元，超低漏电流每单元控制在1阿托（atto、10的负18次方）安培/单元。