扶桑化学工业　着手开发碳化硅半导体用研磨颗粒

　　扶桑化学工业欲推进半导体晶圆及元件用新一代研磨颗粒原料的开发。已开始着手开发的碳化硅（SiC）功率半导体用途方面，该公司以在硅晶圆尖端领域积累了实绩的超高纯度胶体二氧化硅为基础，力争对颗粒表面进行改性以及实现与异类材料的复合，从而提高产品质量和加工效率。此外，扶桑化学工业还欲推进可用于3纳米和2纳米工艺制程的尖端逻辑芯片及存储器的量产化。该公司将以去年在神户市内开设的新研发中心为主体进行技术开发。