富士电机 扩产功率半导体

  富士电机欲扩产利润率高的产业及车载用功率半导体。绝缘栅双极型晶体管(IGBT)方面,松本工厂(长野县)力图扩大晶圆孔径至200毫米,剩余的孔径150毫米晶圆的生产设施将转向生产碳化硅(SiC)功率半导体。由于碳化硅在铁道及节能车方面的需求有望增加,因此该公司计划推进业务连续性计划(BCP)。预计本年度功率半导体业务将达到20%的增益。2018年3月财年(2017年4月-2018年3月),将把IGBT孔径200毫米的生产线月产能在松本工厂扩产70%,即提高至5000片,山梨工厂也将扩产33%,即提高至1.2万片。

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