富士电机　扩产功率半导体

　　富士电机欲扩产利润率高的产业及车载用功率半导体。绝缘栅双极型晶体管（IGBT）方面，松本工厂（长野县）力图扩大晶圆孔径至200毫米，剩余的孔径150毫米晶圆的生产设施将转向生产碳化硅（SiC）功率半导体。由于碳化硅在铁道及节能车方面的需求有望增加，因此该公司计划推进业务连续性计划（BCP）。预计本年度功率半导体业务将达到20%的增益。2018年3月财年（2017年4月-2018年3月），将把IGBT孔径200毫米的生产线月产能在松本工厂扩产70%，即提高至5000片，山梨工厂也将扩产33%，即提高至1.2万片。