三菱电机　新建厂房扩产碳化硅功率半导体

　　三菱电机日前公布将新建厂房以扩产碳化硅（SiC）功率半导体。该公司把2021-2025财年的累计设备投资金额较原计划上调一倍左右，即上调至2600亿日元。其中，计划投资1000亿日元用于扩产碳化硅晶圆，在熊本县菊池市泗水地区新建200毫米晶圆适用的前工程厂房，并新增150毫米级别设备，新厂房计划2026年4月投产。此外，三菱电机还计划投资100亿日元，在福冈县的功率元器件制作所（福冈市西区）新建后工程厂房，并把组装和检测环节集中至此。