三星电子 在日本横滨设半导体最前沿研发中心
韩国三星电子于近日公布将在日本横滨市西区21世纪未来港地区新建半导体最前沿研发中心,进行新一代半导体封装技术的研发。该公司计划未来五年内向研发中心投资400亿日元,预计2024财年投入使用。横滨周边有众多封装相关的企业、大学和人才,因此三星电子决定把研发中心设在横滨。新研发中心“先进封装实验室(APL)”总使用面积约为6612平方米,将设置可进行技术研发的设施及办公室等。尖端封装技术作为突破微细化极限的方法而备受关注。
韩国三星电子于近日公布将在日本横滨市西区21世纪未来港地区新建半导体最前沿研发中心,进行新一代半导体封装技术的研发。该公司计划未来五年内向研发中心投资400亿日元,预计2024财年投入使用。横滨周边有众多封装相关的企业、大学和人才,因此三星电子决定把研发中心设在横滨。新研发中心“先进封装实验室(APL)”总使用面积约为6612平方米,将设置可进行技术研发的设施及办公室等。尖端封装技术作为突破微细化极限的方法而备受关注。