东芝储存器 研发XL-FLASH 2020年开始量产

  东芝储存器于8月6日公布已成功研发出新型储存级储存器(SCM)——XL FLASH,并将开始供应样品。该公司成功把现有的BiCS FLASH以每单元存取1比特数据(1bit/cell)的SLC技术提升至约10倍的高速读取和写入速度。东芝储存器将于九月开始向部分OEM客户供应128吉位(Gb)芯片的产品样品,计划2020年开始量产。XL FLASH采用了并行处理性能卓越的16物理平面构造,通过可提高速度的回路技术,相较现有的TLC(3bit/cell)BiCS FLASH,实现了约十倍的高速读取、延迟时间5微秒以下的速度。

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