三菱化学 研发大型且少缺陷的氮化镓基板

  三菱化学成功研发了较传统产品更大型且缺陷极少的氮化镓(GaN)单结晶基板,并开始准备功率半导体用途产品的量产。随着电动汽车(EV)和新一代通信规格“5G”的扩大,可以更有效提取电力、极有利于机器和装置小型化的功率半导体用GaN基板的需求有望增加。因此该公司计划于2020财年内在日本国内建设采用独家液相生长法的大型量产设备,朝着业务开展开始进行实证实验。目前三菱化学已完成4英寸产品的研发,并已开始进行6英寸产品的研发,(三木崇利执行董事表示)“为实现2024年成功投放市场的目标,正在加速准备把项目进度提前”。

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