东芝储存器　研发XL-FLASH 2020年开始量产

　　东芝储存器于8月6日公布已成功研发出新型储存级储存器（SCM）——XL FLASH，并将开始供应样品。该公司成功把现有的BiCS FLASH以每单元存取1比特数据（1bit/cell）的SLC技术提升至约10倍的高速读取和写入速度。东芝储存器将于九月开始向部分OEM客户供应128吉位（Gb）芯片的产品样品，计划2020年开始量产。XL FLASH采用了并行处理性能卓越的16物理平面构造，通过可提高速度的回路技术，相较现有的TLC（3bit/cell）BiCS FLASH，实现了约十倍的高速读取、延迟时间5微秒以下的速度。